VARIAN/VEECO GEN II是一种分子束外延（MBE）设备，设计用于制造高品质的单晶薄膜。它利用超高真空（UHV）水平，加上精确的石墨积液源沉积外延层。该MBE系统具有独特的特点，能够沉积具有优异电性能和表面性能的高纯度单晶材料。VEECO GEN II由石墨横截面积液源和双室单元组成。该源悬浮在环臂上，包含两个旋钮，可在整个生长过程中调节，从而能够精确沉积半绝缘和半导体材料。该机的两室设计通过利用高纯度氙气、氢气和氦气的溷合物提供出色的UHV（优于1x10-10 Torr）。它还为取样地点和装载以及取样提供了方便。VARIAN GEN II具有与工具硬件通信的板载计算机。这通过提供精确的生长参数（如温度、沉积速率和基板控制）来确保最佳MBE性能。计算机还使用连接到质量流控制器的软件包控制资产的实时气体剂量和沉积速率。这些功能允许用户监控每个增长步骤并根据需要进行调整。GEN II允许用户在多种工业应用中精确制作高质量的单晶薄膜。这包括开发用于半导体器件的欧姆触点或栅极金属化，用于半导体激光器的高反射率涂层的沉积，以及复合半导体器件的制造。与传统的沉积方法相比，该模型的高精度结果使得能够生产出具有优异的电气和机械性能的产品。VARIAN/VEECO GEN II是一种先进的MBE设备,它为用户提供了制造高质量单晶薄膜的全面功能。该系统的两室设计提供了极好的超高压水平，加上一个精确的石墨积液源沉积外延层。其车载计算机提供精确的增长参数，监控增长过程的每个步骤，并提供各种工业应用供其使用。因此，VEECO GEN II对于那些寻求性能卓越的MBE单元的人来说是一个理想的选择。