VEECO GEN 2000是一种分子束外延（MBE）设备，主要用于生长半导体材料的薄膜。该系统由几个组件组成，如腔室、沉积源、快门、电源、真空泵和计算机控制器。腔室采用不锈钢材料制成，真空压力在10-5至10-7 Torr之间，工作压力为10-8至5x10-10 Torr。其设计是为了保证高质量的薄膜和均质层沉积。该装置带有三种沉积源，即热蒸发、电子束蒸发和分子束外延。热蒸发是最简单的沉积形式，它涉及加热一种金属材料，随后导致原子释放，在基板上形成薄层。另一方面，电子束蒸发利用电子束使分子材料解离，诱导原子的释放，这些原子最终沉积在优选的表面上。电子束蒸发的主要优点是能够达到更高的温度。最后，分子束外延被认为是最先进的沉积技术之一。在这种技术中，原子的释放是通过用能量通量激活分子束来诱导的。这是三者中最精确、最均匀的沉积方法，是获得半导体器件制造所需的优质薄层的理想选择。GEN 2000还包括可用于控制沉积速率的快门和用于控制沉积源的自动电源。快门可以用螺线管打开和关闭，以调节沉积在基板上的材料量。此外，该电源可用于调节沉积源的能级，以优化层沉积速率。VEECO GEN 2000还包括一个计算机控制器，可用于控制机器中的每一个组件。控制器配有输入沉积源、层厚、基板温度和压力等用户参数的界面。此外,控制器还会监控工具上的每个过程,以确保在沉积过程中达到最高质量。总之，GEN 2000是一种先进的分子束外延资产，它提供了可靠、高质量和均匀的层沉积。利用其三种不同的沉积源，该模型可轻松生成各种半导体器件制造薄层。此外，用户友好型计算机控制器确保所有流程都受到控制，并达到最高质量。