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VEECO GEN 2000 外延炉

库存状态:现货

VARIAN/VEECO GEN 2000是一种单室分子束外延(MBE)设备。它是一种用途广泛、精密的工具,用于沉积和加工元素和复合半导体材料的薄层。MBE是一种气相生长过程,可以精确控制半导体层的组成、厚度和掺杂。VEECO GEN 2000 MBE系统利用来自多个元素源的原子束,这些原子束被组合并向下引导到加热的基板上。底物可以由单晶或多晶半导体材料组成,加热至生长温度。腔室维持在10^(-11)至10^(-7) Torr范围内的低基压,然后所需的蒸气在基板表面凝结形成明确的结晶层。VARIAN GEN 2000提供了一个异常稳定的生长环境,使层状生长具有极好的均匀性、均匀性和结晶质量。该单元利用超声波编码器来精确监测各层的沉积速率。这种对生长条件的高精度控制提供了开发复杂结构如半导体超晶格和量子井的理想平台。GEN 2000 MBE机包括两个高精度快门快门,一个可控快门脉冲驱动器,自动反射计和一个高精度自动调平器。快门快门提供原子束强度的可调控制,快门脉冲驱动器允许对快门脉冲长度的精确控制。自动反射计用于对被沉积半导体层的厚度进行快速的原位光学监测。高精度自动调平器不断调整基板以保持水平,即使存在不均匀的表面载荷。VARIAN/VEECO GEN 2000 MBE工具还提供了一系列先进的过程控制,如沉积速率的原位反馈控制、脉冲沉积的自动化过程控制、自动反应物控制和负载锁定辅助过程控制。VEECO GEN 2000 MBE资产是现代材料加工能力的典范。它提供技术先进的工具,使复杂的半导体材料沉积具有无与伦比的精度和控制。

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