分子束外延（MBE）是一种用于半导体器件制造的真空沉积技术.MBE利用密封的真空室，允许薄膜材料以原子或分子的形式沉积在不同的底物上。VARIAN/VEECO GENxplor具体来说是一种高真空、低温原子层外延（ALE）系统,能够沉积具有增强的性能和可重复性的材料。VEECO GENxplor是一个双区系统,由一个插件组成,该插件包含两个VEECO专利的高纯度、低氧两端炉子,或一个单一的双区炉子,在同一基材上有两个不同的温度区。两区炉的使用允许两种薄膜材料在不同温度下沉积，并有精确的温度控制。VARIAN GENxplor还配备了三个分子束阀和两个积液池，以提供更大阵列的金属有机源化学品。分子束向生长室注入极精确剂量的金属有机气，据说比传统的金属-有机气相沉积过程精确130-600倍。此外,GENxplor的高级晶圆位置模块具有出色的晶圆均匀性,精确到1 µm以内。这样就可以在沉积过程中更好地控制源和基板的温度,从而使高质量的薄膜层在整个晶片上生长。最后,VARIAN/VEECO GENxplor与VARIAN GRIP模式的增长软件捆绑在一起,为制造最先进的纳米级存储设备和其他高性能设备提供了精确、可重复的过程。该软件通过控制分子束阀和积液池使沉积过程自动化，确保了精确可靠的沉积。总之,VEECO GENxplor是一种先进的MBE系统,与传统的MBE系统相比,它提供了更高的精度和性能,使其成为设备制造商的重要工具,旨在实现其薄膜沉积的全精度和控制。