TEL/TOKYO ELECTRON Chamber for Trias是一款蚀刻器/asher，具有三步湿蚀刻工艺，具有卓越的蚀刻精度。这种专用设备能够快速蚀刻薄膜上的小特征，对底物的浪费和损坏最小。它非常适合需要关键性能和最小基板损坏的各种半导体、MEM和纳米设备应用。TEL trias etcher/Asher专为一次处理多层薄膜而设计，同时进行等离子体蚀刻、湿蚀刻和湿清洁--TOKYO ELECTRON称之为"预测模式"。此过程可确保所有蚀刻特征的来源均匀且宽度和深度一致。此外,获得专利的三步过程允许过度蚀刻不那么关键的功能,从而节省成本并减少浪费。腔室本身由两个射频发生器组成，这些射频发生器被装入一个带有蚀刻窗的不分隔腔室，可以调整以有选择地蚀刻不同的层。采用双面晶片处理系统，在工艺室内移动晶片，防止污染。晶片首先使用射频蚀刻技术进行等离子体蚀刻处理，然后转移到湿蚀刻步骤，最后转移到湿清洁阶段。TEL/TOKYO ELECTRON trias tetcher/asher的优点超出了其快速的製程速率。由于等离子体蚀刻过程平缓，腔室最大程度地减少了排泄性和对基板的损害。此外，可以缩短与蚀刻剂的接触时间，并通过在所有基材尺寸上实现工艺可重复性最大限度地提高吞吐量。TEL trias etcher/asher专为先进的半导体、MEM和纳米器件加工而设计，是一种可靠、直接的加工设备，可以满足所有先进的蚀刻要求。它能够在一个步骤中移动、过度蚀刻和清洁,再加上出色的可重复性和准确性,使其成为任何干蚀刻过程中的宝贵资产。