VARIAN/AMAT/APPLIED MATERIALS E11072881离子植入器和监控器是为集成电路和其他电子设备中掺杂而设计的高性能设备。它配备了超高偏差和低能量植入能力，允许精确控制掺杂深度和浓度。该系统以二氟苯（DFB）电子轰击离子源为基础，提供了高度的离子束均匀性和稳定性，并装在高真空室中，以保证清洁运行。该源在大约10-4 Torr的压力下运行，能量范围在3到50 keV之间。该单元的控制电子设备具有用户友好、菜单驱动的界面，具有自动植入和过程参数，包括光束电流、光束电压、光束直径、光束电流控制、能量范围、扫描时间和光束聚焦。该机还包括一系列安全措施，如辐射探测器、发射光学室以及用于监测资产运行的报警工具。离子植入器既可用于中电流植入，也可用于高电流植入。它具有独特的双粒子加速器设计，可以适应各种不同植入过程的需要。加速器腔允许快速、精确地植入预编程参数，并具有提供高植入率的可变坐标离子递送模型。离子植入监控设备可以自动监控植入过程的结果，从头到尾，以确保一致的植入结果。监测系统包括一系列腔室探测器，用于测量植入过程的能量、电流和其他参数。AMAT E11072881装置是一种用于电子设备植入的可靠、易于操作的机器。它非常适合集成电路的快速、准确的掺杂过程，具有自动控制植入参数的特点。该工具配备了辐射探测器和发射光学室等安全功能，并具有用户友好、菜单驱动的界面。资产还包括一个增强的监测模型，以确保一致的植入结果，以及一系列的腔室探测器来测量植入过程的能量和电流。